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晶圓位錯缺陷檢測在半導體制造過程中具有至關(guān)重要的意義,其意義主要體現(xiàn)在以下幾個方面:1.提升產(chǎn)品質(zhì)量:晶圓是半導體器件的基礎(chǔ)材料,其質(zhì)量直接影響到最終產(chǎn)品的性能。位錯等晶體缺陷會導致半導體器件的電學性能下降,如降低載流子遷移率、增加漏電流等。通過位錯缺陷檢測,可以及時發(fā)現(xiàn)并剔除存在缺陷的晶圓,從而確保使用高質(zhì)量晶圓制造的產(chǎn)品具有優(yōu)異的性能和可靠性。2.優(yōu)化生產(chǎn)工藝:晶圓位錯缺陷的產(chǎn)生與生產(chǎn)工藝密切相關(guān)。通過對晶圓位錯缺陷的檢測和分析,可以了解生產(chǎn)工藝中存在的問題和不足,如生長...
高速探測器作為光通信、傳感、量子計算等領(lǐng)域的核心器件,其技術(shù)發(fā)展直接推動了數(shù)據(jù)傳輸速率、系統(tǒng)集成度及功能多樣性的突破。以下從技術(shù)分類、性能優(yōu)勢、應用場景及未來趨勢四個維度展開解析:一、技術(shù)分類與核心原理光電探測器(PD)硅基鍺(Ge/Si)探測器:通過波導耦合結(jié)構(gòu)分離光吸收與載流子收集路徑,優(yōu)化光耦合效率。鍺層在電信波長(如1550nm)下具有強吸收能力,與CMOS工藝兼容,適用于硅基光電子集成。性能指標:響應度0.8A/W(1550nm),帶寬60GHz,暗電流應用場景:數(shù)...
時間分辨熒光光譜技術(shù)支持從皮秒到微秒量級的壽命測試,覆蓋了快速反應至緩慢弛豫的全過程。無論是瞬態(tài)中間體還是穩(wěn)定態(tài)產(chǎn)物,均可被準確捕獲并分析,適用于物理、化學、材料科學及生物醫(yī)學等多個領(lǐng)域。尤其在免疫分析中,以稀土絡合物為標記物的體系可實現(xiàn)超微量物質(zhì)檢測,其靈敏度遠超傳統(tǒng)方法。同時,每秒千次級的快速檢測頻率與平均化處理機制,確保了結(jié)果的穩(wěn)定性和重復性。時間分辨熒光光譜技術(shù)的使用步驟:1.樣品制備與放置-均勻性處理:確保待測樣品具有足夠的均勻性和穩(wěn)定性,避免因顆粒大小、濃度差異等...
時間分辨熒光光譜技術(shù)的核心在于使用脈沖光源對樣品進行瞬間激發(fā),隨后記錄不同時間點上發(fā)射的熒光強度變化。通過準確控制激光脈沖寬度和時間間隔,系統(tǒng)能夠捕捉到從亞秒級到毫秒級的動態(tài)過程。通常采用TCSPC模塊來記錄熒光衰減曲線,該技術(shù)通過統(tǒng)計單個光子到達檢測器的時間分布,構(gòu)建出熒光壽命圖譜,從而揭示分子層面的弛豫機制和相互作用模式。結(jié)合單色儀分光系統(tǒng),可在特定波長下測量熒光壽命,并運用多指數(shù)擬合算法解析復雜的動力學過程。這一過程有助于定量描述樣品中不同組分的貢獻及其相互關(guān)系。時間分...
連續(xù)可調(diào)諧納秒激光器通過多種技術(shù)實現(xiàn)波長在納秒級脈沖下的連續(xù)調(diào)諧,主要方法包括光柵/棱鏡調(diào)諧、電光調(diào)諧、熱調(diào)諧、機械調(diào)諧以及非線性光學調(diào)諧,以下是具體介紹:一、光柵或棱鏡調(diào)諧原理:在激光諧振腔中引入可調(diào)諧濾光片(如光柵或棱鏡),通過旋轉(zhuǎn)光柵或移動棱鏡改變光路,選擇特定波長的光進行放大輸出。應用:適用于固態(tài)激光器,如鈦藍寶石激光器。通過一對棱鏡分散不同波長的光,利用可移動狹縫選擇目標波長,實現(xiàn)連續(xù)調(diào)諧。特點:調(diào)諧范圍寬,但需精確控制光柵或棱鏡的位置和角度。二、電光調(diào)諧原理:利用...
超快熒光光譜系統(tǒng)的核心在于利用飛秒或皮秒激光器產(chǎn)生的高能超短脈沖(脈沖寬度可達數(shù)十飛秒至皮秒級),準確激發(fā)樣品分子內(nèi)部的電子躍遷。當分子吸收激光能量后,電子從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài),隨后通過輻射躍遷(熒光發(fā)射)或非輻射躍遷(如振動弛豫)返回基態(tài)。系統(tǒng)通過高靈敏度探測器(如條紋相機、光電倍增管等)實時監(jiān)測熒光信號的強度、波長及壽命變化,結(jié)合可調(diào)延時線技術(shù),準確控制泵浦光與探測光之間的時間延遲(從飛秒到納秒級),從而捕捉分子在短時間尺度內(nèi)的動態(tài)過程。超快熒光光譜系統(tǒng)的時間分辨率突破了傳...
碳化硅成像檢測技術(shù)的核心在于通過不同物理原理的成像手段,揭示材料微觀結(jié)構(gòu)、缺陷分布及性能特征,主要包含以下三類技術(shù):光學成像技術(shù)光致發(fā)光(PL)映射/成像:利用激光激發(fā)碳化硅中的缺陷或摻雜區(qū)域,通過檢測光致發(fā)光信號的強度與波長分布,定位堆垛層錯、位錯等擴展缺陷。例如,4H-SiC中的堆垛層錯會形成特殊的PL光譜帶,空間分辨率可達1微米,適用于晶圓級快速篩查。激光散射技術(shù):通過分析激光在碳化硅表面散射的強度與角度分布,檢測亞微米級表面凹凸,如螺紋位錯(TSD)引起的微小凹陷,彌...
電激發(fā)納秒瞬態(tài)吸收光譜(nanosecondtransientabsorptionspectroscopy)系統(tǒng)是一種用于研究分子、材料和界面在短時間尺度上(納秒級別)的動力學過程、反應機制和激發(fā)態(tài)性質(zhì)的強大工具。下面是對該系統(tǒng)主要作用的詳細分析:1.研究光化學過程激發(fā)態(tài)分子動力學:電激發(fā)納秒瞬態(tài)吸收光譜能夠精確測量從激發(fā)態(tài)到基態(tài)的躍遷過程。例如,它可以研究分子在激發(fā)后如何返回基態(tài),或者通過內(nèi)轉(zhuǎn)換、輻射躍遷或與環(huán)境相互作用等途徑解離?;瘜W反應的動態(tài)過程:該系統(tǒng)能夠捕捉分子在化...